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快速解析：服务器 DDR2 内存是什么？解析内存、DDR2 等参数。
随着现代科技的不断进步，越来越多的企业和机构开始依赖于服务器来处理和存储数据。服务器的性能和稳定性直接关系到企业的生产力和效率。而 DDR2 内存则是服务器中不可或缺的一部分，其负责存储和传输数据，确保服务器平稳运行。本文将深入探讨服务器 DDR2 内存的相关参数，以期帮助使用者更好地了解和运用这一重要组件。
让我们解析内存的概念。内存是指一个电子设备的临时存储器，它存储着计算机运行过程中需要的数据以及程序。每当计算机执行一个程序时，它需要将需要的数据存储到内存中，通过 CPU 读取存储在内存中的数据来顺序地执行程序。这使得内存成为任何电脑的必要组件，但它在服务器中尤为关键，因为服务器需要始终运行，而内存是实现这一点的重要条件之一。
接下来，我们将进入本文的重点：DDR2 内存。DDR2 内存是一种工作频率更高、稳定性更好、且耗电更低的内存组件。DDR2 内存的数据传输速度比 DDR 内存快。DDR2 内存的高速度得益于总线带宽更宽和数据预取更为高效。DDR2 内存还具备节能功能，这是因为它使用更少的电力，使得机器在同样的运行时间里耗电更少。DDR2 内存是在 DDR 内存基础上进行的升级，并且更好地迎合了服务器在处理大量数据时的需要。
我们再来谈论一下 DDR2 内存的参数。DDR2 内存有许多不同的参数，包括 CAS 延迟、时钟速度、频率、带宽等。其中， CAS 延迟是 DDR2 内存运作速度的一个重要指标，它指的是内存发出读命令到结果可读取的时间。时钟速度指的是内存模块的时钟频率，它能够影响内存的处理速度。频率指的是内存的传输速率，通常以 MHz 为单位表达。带宽是 DDR2 内存的另一项重要参数，它可以影响内存的读写速度。
综上所述，服务器 DDR2 内存对于保证服务器的稳定运行和高效处理数据来说至关重要。对于用户来说，了解 DDR2 内存的相关参数可以帮助其更好地选择合适的内存配置，以达到更佳性能。我们希望本文能够为您提供帮助，并在您的日常工作中有效地提高服务器的性能表现。
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什么是DDR II DIMM内存?
DIMMDual-Inline-Memory-Modules,即双列直插式存储模块。这是在奔腾CPU推出后出现的新型内存条，DIMM提供了64位的数据通道，因此它在奔腾主板上可以单条使用梁困。它有168条引脚，故称为168线内存条。它要比SIMM插槽要长一些，并且它也支持新型的168线EDO-DRAM存储器。就目前而言，适用DIMM的内存芯片的工作电压毕贺一般为3.3V（使用EDORAM内存芯片的168线内存条除外），适用于SIMM的内存芯片的工作电压一般为5V（使用EDORAM或FBRAM内存芯片），二者不能混合使用。
DIMM（Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块）与SIMM相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用DIMM，SDRAM 的接口与DDR内存的接口也略有不同，SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构，金手指每面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁；DDR DIMM则采用184Pin DIMM结构，金手指每面有92Pin，金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。DDR2 DIMM为240pin DIMM结构，金手指每面有120Pin，与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口，但是卡口的位置与DDR DIMM稍微有一些不同，因此DDR内存是插不进DDR2 DIMM的，同理DDR2内存也是插不进DDR DIMM的，因此在一些同时具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。
为了满足笔记本电手渣派脑对内存尺寸的要求，SO-DIMM（Small Outline DIMM Module）也开发了出来，它的尺寸比标准的DIMM要小很多，而且引脚数也不相同。同样SO-DIMM也根据SDRAM和DDR内存规格不同而不同，SDRAM的SO-DIMM只有144pin引脚，而DDR的SO-DIMM拥有200pin引脚。此外笔记本内存还有MicroDIMM和Mini Registered DIMM两种接口。MicroDIMM接口的DDR为172pin，DDR2为214pin；Mini Registered DIMM接口为244pin，主要用于DDR2内存。
FB-DIMM
因为目前的内存主要是采用传统的64位并行设计，即北桥芯片的内存控制器与内存模块之间均通过64位的并行总线来数据交换，但此类并行总线设计有一个更大的缺点：就是相邻线路很容易受到干扰。这是因为目前的DIMM采用一种“短线连接”(Stub-bus)的拓扑结构。
在这种结构中，每个芯片与内存控制器的数据总线都有一个短小的线路相连，这样会造成电阻抗的不连续性，从而影响信号的稳定与完整，频率越高或芯片颗粒越多，影响也就越大。这也是目前基于此类并行体系的内存如DDR频率低下的原因。
DDR2（Double Data Rate 2）综述：
回想起DDR的发展历程，从DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400、DDR533技术，之一代DDR的发展已经走到了技术的极限。由于DDR-I架构的局限性，当频率达到400MHz后，就很难再有所提升，而随着新的处理器技术不断发展，前端总线对内存带宽的要求却越来越高，老迈的DDR SDRAM已经无法胜任，拥有更高更稳定运行频率的内存将是大势所趋，DDR II不可阻挡地走到了大众面前。
相对来说，作为接班人的DDR-Ⅱ在总体上仍保留了DDR-I的大部分特性，相比DDR-I的设计变动并不大，即使针脚数发生了改变，但仍可以强行将DDR II的内存插入到DDR-I的DIMM槽中，这也是需要大家注意的地方。总体而言，DDR-Ⅱ主要进行了以下几点改进：
1．改进针脚设计：DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针。(注：DDR-II针脚数量有200Pin、220Pin、240Pin三种，其中240Pin的DDR-Ⅱ将用于桌面PC系列)
2．降低工作电压：DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。
3．改进封装方式：它采用了更为先进的FBGA封装方式替代了传统的TSOP/TSOP-II方式。
4．更低的延迟时间：DDR2内存的延迟时间介于1.8ns到2.2ns之间（由厂商根据工作频率不同而设定），远低于DDR的2.9ns。由于延迟时间的降低，从而使DDR2可以达到更高的频率，更高可以达到1GHz以上的有效频率。
5. 4bit Prefect架构（4位数据预读取）：这也是DDR II内存能在相同的核心频率下，达到更高的数据传输率的关键技术之一。
6．OCD（Off-Chip Driver离线驱动调校）：使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整闭圆性；通过控制电压来提高信号品质。（OCD功能在普通台式机上并没有什么作用，其优点主要体现在服务器领域）
7．ODT（On Die Terminator片内终结电阻）：终结电阻器可以和内存颗粒的”特性”相符，从而减少内存与主颂蠢板的兼容问题的出现。
8．Posted CAS功能：Posted CAS是为了解决DDR内存中指令冲突问题，提高DDR II内存的利用效率而设计的功能。（Posted CAS功能的优势只有在那些读写命令非常频繁的运作环境下才能体现，对于一般的应用来说，开启Posted CAS功能反而会降低系统的整体性能）
DDR与DDR II对比表：
DDR SDAMR
DDR II SDRAM
时钟频率
100/133/166/200MHz
200/266/333MHz
数据传输率
200/266/333/400MBPS
400/533/667MBPS
工作电压
2.5V
1.8V
针脚数
184Pin
200Pin、220Pin、240Pin(240Pin为主流标准)
封装技术
TSOP-II/CSP
CSP（FBGA）封装
更大功率
418毫瓦
318毫瓦
预取设计
2Bit
4Bit
突发长度
2/4/8
4/8
L-BANK数量
最多4个
最多8个
CL值
1.5、2.5、3.5、3
3、4、5
AL值
无
0、1、2、3、4
接口标准
SSTL_2
SSTL_18
系统更高P-BANK数量
8
4
新增特性
COD、ODT、POSTED CAS
DDR II内存技术详解
1、改进针脚设计
虽说DDR-Ⅱ是在DDR的基础之上改进而来的，外观、尺寸上与目前的DDR内存几乎一样，但为了保持较高的数据传输率，适合电气信号的要求， DDR-Ⅱ对针脚进行重新定义，采用了双向数据控制针脚，针脚数也由DDR的184Pin变为240Pin(注：DDR-II针脚数量有200Pin、220Pin、240Pin三种，其中240Pin的DDR-Ⅱ将用于桌面PC系列。)
2、更低的工作电压
由于DDR-II内存使用更为先进的制造工艺（DDRII内存将采用0.09微米的制作工艺，其内存容量可以达到1GB到2GB，而随后DDRII内存将会在制造上进一步提升为更加先进的0.065微米制作工艺，这样DDRII内存的容量可以达到4GB。）和对野态陪芯片核心的内部改进，DDRII内存将把工作电压降到1.8V，这就预示着DDRII内存的功耗和发热量都会在一定程度上得以降低：在533MHz频率下的功耗只有304毫瓦（而DDR在工作电压为2.5V，在266MHZ下功耗为418毫瓦）。不过降低工作电压也来了一个问题：在DDR2初始的MHz的时钟速度上，当模块中组装了32个DRAM芯片时，由于DDR2的核心电压只有1.8V，使得DDR2的边沿斜率比DDR慢。边沿斜率降低的结果是：同一个更高的电压信号相比，电压信号上升时间加长，这加大了制造上的难度。
3、更小的封装
目前DDR内存主要采用TSOP-Ⅱ封装,而在DDRⅡ时代，TSOP-Ⅱ封装将彻底退出内存封装市场，改用更先进的CSP（FBGA）无铅封装技术，它是比TSOP-Ⅱ更为贴近芯片尺寸的封装方法，并且由于在晶圆上就做好了封装布线，在可靠性方面可以达到了更高的水平。DDR II将有两种封装形式，如果数据位宽是4bit/8bit，则采用64-ball的FBGA封装，数据位宽是16bit，则采用84-ball的FBGA封装。
4、更低的延迟时间，
图-1 延迟时间示意图
在DDR2中，整个内存子系统都重新进行了设计，大大降低了延迟时间，延迟时间介于1.8ns到2.2ns之间（由厂商根据工作频率不同而设定），远低于DDR的2.9ns。由于延迟时间的降低，从而使DDR2可以达到更高的频率，更高可以达到1GHz以上的有效频率。而DDR1由于已经接近了其物理极限，其延迟时间无法进一步降低，这也是为什么DDR1的更大运行频率不能再有效提高的原因之一。
5、采用了4bit Prefect架构
图-2 4bit Prefect示意图
DDR-Ⅱ在DDR的基础上之上新增4位数据预取的特性，这也是DDR II的关键技术之一。现在的DRAM内部都采用了4bank的结构，内存颗粒内部单元我们称之为Cell，它是由一组Memory Cell Array构成，也就是内存单元队列。目前内存颗粒的频率分成三种，一种是DRAM核心频率，一种是时钟频率，还有一种是数据传输率。
在SDRAM中，SDRAM也就是同步DRAM，它的数据传输率是和时钟周期同步的，SDRAM的DRAM核心频率和时钟频率以及数据传输率都一样。以PC-133SDRAM为例，它的核心频率/时钟频率/数据传输率分别是133MHz/133MHz/133Mbps。
在DDR I SDRAM中，核心频率和时钟频率是一样的，而数据传输率是时钟频率的两倍，关于这点我们都已经非常的清楚了，DDR也就是Double data rating内存可以在每个时钟周期的上升延和下降延传输数据，也就是一个时钟周期可以传输2bit数据，因此DDR I的数据传输率是时钟频率的两倍。以DDR266 SDRAM为例，它的核心频率/时钟频率/数据传输率分别是133MHz/133MHz/266Mbps。目前JEDEC标准中的DDR I SDRAM的更高标准是DDR400，它的核心频率/时钟频率/数据传输率分别是200MHz/200MHz/400Mbps。颗粒内部的基本组成单元cell的工作频率为200MHz，这个频率再提高会带来稳定性和成本方面的问题。
而在DDR II SDRAM中，核心频率和时钟频率已经不一样了，由于DDR II采用了4bit Prefetch技术。Prefetch可以意译为”数据预取”技术，可以认为是端口数据传输率和内存Cell之间数据读/写之间的倍率，如DDR I为2bit Prefetch，因此DDR I的数据传输率是核心Cell工作频率的两部。DDR II采用了4bit Prefetch架构，也就是它的数据传输率是核心工作频率的四倍。实际上数据先输入到I/O缓冲寄存器，再从I/O寄存器输出。DDR II 400 SDRAM的核心频率/时钟频率/数据传输率分别是100MHz/200MHz/400Mbps。大家要注意的是，DDR II 400 SDRAM的核心频率和DDR I 200是一样的，但是DDR II 400的数据传输率是DDR I 200的两倍。因此，DDR-Ⅱ虽然实现了4-bit预取，但在实际效能上，与DDR是一样的。因此在相同的核心频率下，DDR-Ⅱ达到了两倍于DDR的的带宽的水平有一个前提条件，那就是DDR-Ⅱ的外部时钟频率也是DDR和SDRAM的两倍。
6、OCD功能
图-3 OCD原理图示
OCD的英文全称为Off-Chip Driver，译为离线驱动调校，DDR-Ⅱ加入了可选的OCD功能，OCD的主要用意在于调整I/O接口端的电压，来补偿上拉与下拉电阻值，从而可以提高信号的完整性。DDR II主要通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使DQS低电平/DQ高电平时电压相等，如果不满足要求，则通过设定突发长度的地址线来传送上拉/下拉电阻等级，从而减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性及控制电压来提高信号品质。不过，由于在一般情况下普能台式机对应用环境稳定程度并不太高，只要存在差分DQS时就基本可以保证同步的准确性，因此OCD功能在普通台式机上并没有什么作用，其优点主要体现在服务器领域。
7、ODT 功能
图-4 ODT原理图示
ODT的英文全称为On Die Terminator，中文意思是片内终结器设计。在进入DDR时代，DDR内存对工作环境提出更高的要求，如果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象，就会对后面信号的影响从而造成运算出错。因此目前支持DDR主板都是通过采用终结电阻来解决这个问题。由于每根数据线至少需要一个终结电阻，这意味着每块DDR主板需要大量的终结电阻，这也无形中增加了主板的生产成本,而且由于不同的内存模组对终结电阻的要求不可能完全一样，也造成了所谓的“内存兼容性问题”。
而在DDR II中加入了ODT功能，即是将终结电阻设于内存芯片内，当在DRAM模组工作时把终结电阻器关掉，而对于不工作的DRAM模组则进行终结操作，起到减少信号反射的作用（注：ODT的功能与禁止由北桥芯片控制，在开机进行EMRS时进行设置，ODT所终结的信号包括DQS、RDQS、DQ等等。），这样可以产生更干净的信号品质，从而产生更高的内存时钟频率速度。而将终结电阻设计在内存芯片之上还可以简化了主板的设计，降低了主板的成本，而且终结电阻器可以和内存颗粒的”特性”相符，从而减少内存与主板的兼容问题的出现。
8、Posted CAS功能
图-5 Posted CAS原理图示
Posted CAS是为了解决DDR内存中指令冲突问题，提高DDR II内存的利用效率而设计的功能。在Posted CAS操作中，它允许CAS信号紧随RAS发送（相对于以往的DDR等于将CAS前置），CAS信号（读写/命令）能够到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。但读/写操作并没有因此而提前，仍有要保证有足够的延迟/潜伏期，为此在DDR-Ⅱ中引入“Additive Latency”概念（简称AL，主要用来代替原来的“RAS到CAS和延迟”，意为附加潜伏期。），而CL也不再采用原来的x.5的设计，而采用整数设计（CL更低值为3，更高为5）。与CL一样，AL单位为时钟周期数，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置，当AL设为0时，前置CAS无效，内存在传统DDR模式下运行。Posted CAS优点到于可以很容易解决ACT和CAS信号之间产生碰撞的冲突，从而提高了命令、数据总线的效率及实际的内存带宽。
不过Posted CAS也存在一个问题，就是在背靠背式读取数据时，由于要经过AL加CL的潜伏期，所以会增加读取的延迟反而增加了。因此Posted CAS功能的优势只有在那些读写命令非常频繁的运作环境下才能体现，对于一般的应用来说，开启Posted CAS功能反而会降低系统的整体性能。
DDR2的定义：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准更大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能搭敏够以内部控制总线4倍的速度运行。
DDR2内存的频率
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳慧塌定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从之一代应用到个人电脑的DDR200 经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，之一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着 Intel最新处理器技术的发展，前前枝圆端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
简单的说就是DDR二代
DIMM:双列直销穗插式内存模块|内存插槽|内存模块
FB-DIMM:全缓冲内亏知卜存|内存模猛激块
SO-DIMM:笔记本内存|模块
服务器ddr2内存的介绍就聊到这里吧，感谢你花时间阅读本站内容，更多关于服务器ddr2内存,快速解析：服务器 → ddr2 → 内存 → 标题 → 30字服务器ddr2内存是什么？解析内存、ddr2等参数。,配置服务器，工作站可以使用普通的DDR2内存条吗,什么是DDR II DIMM内存?的信息别忘了在本站进行查找喔。
